笔记

探头里的固定深度伪影:薄层标准具与混叠

Fixed-depth ghost peaks from thin layers, and aliasing

伪影标准具混叠光纤探头

光谱域深度测量里,经常出现一个位置固定的峰:换样品不动,移动样品也不动。这种峰不是样品信号,而是光学系统自己的伪影。本文以胶合分束立方体里的薄胶层为例,说明它是怎么来的、怎么诊断、怎么处理。记号沿用 光谱域深度谱 一文。

1. 每一对反射面都是一个标准具#

只要光路里有两个都能部分反射的面,它们之间就构成一个标准具(etalon)。设两面间隔 LL,之间的介质折射率为 nn,光在其中的传播方向与法线夹角为 θ\theta,则这一对反射面造成的额外往返光程差是

OPD=2nLcos⁡θ,zapp=OPD2=nLcos⁡θ. \mathrm{OPD} = 2\, n\, L \cos\theta , \qquad z_{\mathrm{app}} = \frac{\mathrm{OPD}}{2} = n\,L\cos\theta .

宽带下 nn 应换成群折射率 ngn_g。这个 zappz_{\mathrm{app}} 与样品在哪里无关,所以谱里就长出一个固定的峰。

2. 例子:胶合分束立方体的胶层#

非偏振分束立方体由两块直角棱镜胶合而成,斜面(通常与光轴成 45°)上镀分光膜,再用紫外胶粘在一起。胶层两侧的两个界面(棱镜 1/胶、胶/棱镜 2)都有微弱的反射,二者形成一个厚度为 tt 的标准具。

胶层标准具示意图。主反射来自第一个界面,寄生反射来自第二个界面,二者的额外光程差由胶层厚度决定。

设玻璃折射率 ng=1.5168n_g = 1.5168(N-BK7,550 nm),胶折射率 nc=1.56n_c = 1.56,光在斜面上的入射角 45∘45^\circ。由斯涅尔定律,胶层里的折射角是

sin⁡θc=ngsin⁡45∘nc⇒θc=43.4∘, \sin\theta_c = \frac{n_g \sin 45^\circ}{n_c} \;\Rightarrow\; \theta_c = 43.4^\circ ,

于是

OPD=2nctcos⁡θc=2.27t,zapp=nctcos⁡θc=1.13t. \mathrm{OPD} = 2\, n_c\, t \cos\theta_c = 2.27\,t , \qquad z_{\mathrm{app}} = n_c\, t\cos\theta_c = 1.13\,t .

反过来,看到一个固定在 zapp=35μmz_{\mathrm{app}} = 35\,\mu\mathrm{m} 的峰,可以反推胶层厚度 t=30.9μmt = 30.9\,\mu\mathrm{m}。紫外胶层常见厚度 10–50 μm,正好在范围内。

一定要写清楚深度的约定。 如果把"深度 = OPD"而不是"OPD/2",同一个峰反推出的胶厚就差一倍(15 μm 与 31 μm)。读别人的报告、或者对照不同软件的输出时,第一件事是确认它的深度轴是 OPD 还是 OPD/2。

3. 怎么确认它是内部伪影#

三个判据,由强到弱。

判据一:峰位不随样品变。 这是最直接的。样品从 80 μm 挪到 95 μm,样品峰跟着走,而伪影峰留在原处。小峰是样品与伪影的交叉项,它们跟着样品走。

移动样品时,伪影峰(35 μm)不动,样品峰和交叉项移动。

判据二:转动元件,峰位随之轻微移动。 胶层里的折射角 θc\theta_c 随入射角变化,所以 zapp∝cos⁡θcz_{\mathrm{app}} \propto \cos\theta_c 会跟着变。立方体绕竖直轴转 α\alpha 时:

sin⁡β=sin⁡αng,θi=45∘∓β,sin⁡θc=ngsin⁡θinc,zapp=nctcos⁡θc. \sin\beta = \frac{\sin\alpha}{n_g},\qquad \theta_i = 45^\circ \mp \beta,\qquad \sin\theta_c = \frac{n_g\sin\theta_i}{n_c},\qquad z_{\mathrm{app}} = n_c\, t\cos\theta_c .

按上面的例子(准直光):斜率约 0.36μm/∘0.36\,\mu\mathrm{m}/{}^\circ,转 ±3° 峰位移到 36.07 / 33.90 μm,移动约 ±1 μm,也就是两个分辨单元(这套光谱的 δz=0.47μm\delta z = 0.47\,\mu\mathrm{m})。样品峰则基本不动。

判据三:发散光会把峰抹成一个包。 光纤端面出射的是发散光,胶层里的入射角分布在 45∘45^\circ 附近一个范围内,每个角度对应的 zappz_{\mathrm{app}} 不同,峰被涂宽。仍按上面的例子,t=30.9μmt = 30.9\,\mu\mathrm{m}:

NA 玻璃内半角 伪影峰覆盖的深度范围
0.05 1.9° 34.0–36.0 μm
0.1 3.8° 32.9–37.0 μm
0.2 7.6° 30.6–38.9 μm(约 ±12%)

所以在 NA 较大的光路里,胶层伪影不是一根针,而是一个几 μm 宽的包,幅度也被摊薄。反过来,看到一个很窄的固定峰,说明那里的光比较准直。

左:立方体转动时伪影峰的位置(准直光)。右:发散光下,不同 NA 对应的峰位范围。

4. 远处的反射:混叠与卷降#

光路里还有间隔大得多的反射面:立方体的外表面(12.7 mm 玻璃,zapp≈19mmz_{\mathrm{app}}\approx 19\,\mathrm{mm})、光纤端面与分束器之间的空气间隔(几十 mm)。它们的光程差远远超出量程,会怎样?

光谱仪在波数上等间隔采样(间隔 δσ\delta\sigma),条纹频率超过奈奎斯特极限后会折回,表观深度是

zalias=|((z+P/2)mod⁡P)−P/2|,P=12δσ. z_{\mathrm{alias}} = \left|\, \big( (z + P/2) \bmod P \big) - P/2 \,\right|, \qquad P = \frac{1}{2\,\delta\sigma} .

400–700 nm、1024 个点的例子里,P=477μmP = 477\,\mu\mathrm{m},奈奎斯特深度 239 μm:真实深度 700 μm 的反射会出现在约 223 μm 处。

不过现实里这种折回的假峰通常很弱。原因是光谱仪每个像素对一段波长积分,条纹对比度被卷降(roll-off):

V(z)=|sinc(2zδσ)|. V(z) = \left|\, \mathrm{sinc}\!\left(2\, z\,\delta\sigma\right) \right| .

左:混叠,真实深度 700 μm 折回到约 223 μm。右:像素积分造成的条纹对比度卷降。

这条曲线说明:

  • 在奈奎斯特深度(239 μm)处对比度已经降到 64%;
  • 在 z=477μmz = 477\,\mu\mathrm{m} 及其整数倍处,对比度降到零,那里的反射反而"看不见";
  • 真实深度 700 μm 的折回峰对比度只有约 22%;
  • 到了 19 mm 量级,对比度低于 1%,这些反射只会抬高一点噪底,几乎不成峰。

这个卷降模型假设相邻像素在波数上首尾相接,每个像素的响应是矩形。实际光谱仪还有光学点扩展函数(PSF)的展宽,卷降会更快。

所以:量程内的伪影(胶层、镀膜层)会形成清晰的假峰,需要处理;量程外的反射主要是抬高底噪。

5. 压制办法#

  1. 空载背景相减。 伪影不依赖样品,在没有样品(或放一面镜子)时采一次谱,作为固定背景扣掉。精度受温漂和光源漂移限制,通常能压低一个数量级,不能彻底消除。
  2. 让伪影光耦合不进接收端。 胶层两个界面平行时,两束反射光也平行,只错开 tt 量级的距离(几十 μm),倾斜整个立方体分不开它们;微倾几度只对不平行的寄生反射(比如光纤端面背反)有效,能让它们走出接收纤芯。对胶层来说,要让界面本身不平行(楔形胶层),第二束反射才会带上夹角、耦合不进去。
  3. 改元件。 界面反射率约为 ((nc−ng)/(nc+ng))2\big((n_c - n_g)/(n_c + n_g)\big)^2,本例约 2×10−42\times 10^{-4},所以换折射率更接近玻璃的胶,这一项几乎可以压没;胶层做得更薄也有帮助;外表面镀增透膜。
  4. 挪出测量窗口。 如果伪影的深度落在样品信号之前(比如伪影在 35 μm、样品最近的表面在 100 μm 以后),可以直接在软件里把这一段屏蔽掉。
  5. 反过来用。 已知峰位就能反推胶层厚度 t=zapp/(nccos⁡θc)t = z_{\mathrm{app}}/(n_c\cos\theta_c),等于免费得到一个胶层厚度的在线测量。

6. 排查清单#

遇到固定峰,把光路里每一对可能的反射面列出来,算出各自的 zappz_{\mathrm{app}}:

反射面对 间隔 表观深度 结论
胶层两个界面 约 31 μm(胶) 约 35 μm 在量程内,主要嫌疑
介质分光膜内部各层 几 μm 几 μm 落在零深度泄漏的范围里,难以单独辨认
立方体外表面之间 12.7 mm(玻璃) 约 19 mm 超量程,卷降后 < 1%
光纤端面与立方体 几十 mm(空气) 几十 mm 超量程,只抬高噪底

只有"在量程内"的那一行需要认真对待。用上面的三个判据再确认一遍,就可以定位到具体元件。